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IRFBE30PBF-BE3

IRFBE30PBF-BE3

IRFBE30PBF-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

compliant

IRFBE30PBF-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.35000 $2.35
500 $2.3265 $1163.25
1000 $2.303 $2303
1500 $2.2795 $3419.25
2000 $2.256 $4512
2500 $2.2325 $5581.25
968 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFS3006-7P
IXTP2N100
IXTP2N100
$0 $/Stück
IRFB4321PBF
NVMFS5C645NT1G
NVMFS5C645NT1G
$0 $/Stück
STP180N4F6
STP180N4F6
$0 $/Stück
SQM60N06-15_GE3
SQJA70EP-T1_BE3
2N7002KT7G
2N7002KT7G
$0 $/Stück

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