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STP180N4F6

STP180N4F6

STP180N4F6

MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

STP180N4F6 Technisches Datenblatt

compliant

STP180N4F6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.95700 -
30 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 190W (Tc)
Betriebstemperatur -
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SQM60N06-15_GE3
SQJA70EP-T1_BE3
2N7002KT7G
2N7002KT7G
$0 $/Stück
STD35P6LLF6
SIHB28N60EF-T1-GE3
SIHA15N50E-GE3
APT5010JVRU2
FDD13AN06A0-F085
FDD13AN06A0-F085
$0 $/Stück

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