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SIHB28N60EF-T1-GE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

nicht konform

SIHB28N60EF-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.50000 $6.5
500 $6.435 $3217.5
1000 $6.37 $6370
1500 $6.305 $9457.5
2000 $6.24 $12480
2500 $6.175 $15437.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 123mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2714 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIHA15N50E-GE3
APT5010JVRU2
FDD13AN06A0-F085
FDD13AN06A0-F085
$0 $/Stück
SI7117DN-T1-GE3
RV2C001ZPT2L
SI4464DY-T1-E3
SI1308EDL-T1-GE3
TPIC5621LDW
TPIC5621LDW
$0 $/Stück
IXTQ42N25P
IXTQ42N25P
$0 $/Stück

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