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NTBV5605T4G

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onsemi

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

NTBV5605T4G Technisches Datenblatt

compliant

NTBV5605T4G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 140mOhm @ 8.5A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1190 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 88W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRF7604TR
FDS6298_G
FDS6298_G
$0 $/Stück
FQB12N60CTM
FQP9N25C
IRFL014TR
IRFL014TR
$0 $/Stück
FQI27P06TU
FQI27P06TU
$0 $/Stück

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