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NTD30N02T4G

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onsemi

N-CHANNEL POWER MOSFET

NTD30N02T4G Technisches Datenblatt

compliant

NTD30N02T4G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
22500 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 24 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tj)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FDB2614
FDB2614
$0 $/Stück
RSF015N06FRATL
PSMN041-80YLX
CSD25211W1015
IRF135B203
NTP360N80S3Z
NTP360N80S3Z
$0 $/Stück
SIR870BDP-T1-RE3

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