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NTD4858N-1G

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onsemi

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK

NTD4858N-1G Technisches Datenblatt

nicht konform

NTD4858N-1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.23000 $0.23
500 $0.2277 $113.85
1000 $0.2254 $225.4
1500 $0.2231 $334.65
2000 $0.2208 $441.6
2500 $0.2185 $546.25
4875 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19.2 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1563 pF @ 12 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-PAK
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

SCT4062KEC11
NTHS4501NT1G
NTHS4501NT1G
$0 $/Stück
IXFP16N50P3
IXFP16N50P3
$0 $/Stück
NVMTS001N06CTXG
NVMTS001N06CTXG
$0 $/Stück
PSMNR70-40SSHJ
APT6038BFLLG
FDN339AN
FDN339AN
$0 $/Stück
PSMN9R8-30MLC,115
PSMN013-100YSEX

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