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FDN339AN

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MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

FDN339AN Technisches Datenblatt

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FDN339AN Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.18073 -
6,000 $0.16907 -
15,000 $0.15741 -
30,000 $0.14925 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 700 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

PSMN9R8-30MLC,115
PSMN013-100YSEX
STF11N60DM2
IXFR180N10
IXFR180N10
$0 $/Stück
SISA35DN-T1-GE3
SIS698DN-T1-GE3
IRFH7440TRPBF
FDP2D9N12C
FDP2D9N12C
$0 $/Stück
STL4LN80K5
STL4LN80K5
$0 $/Stück

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