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STF11N60DM2

STF11N60DM2

STF11N60DM2

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP

STF11N60DM2 Technisches Datenblatt

nicht konform

STF11N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.90000 $1.9
10 $1.72600 $17.26
100 $1.40710 $140.71
500 $1.11672 $558.36
1,000 $0.94248 -
3,000 $0.88440 -
5,000 $0.85536 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 614 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXFR180N10
IXFR180N10
$0 $/Stück
SISA35DN-T1-GE3
SIS698DN-T1-GE3
IRFH7440TRPBF
FDP2D9N12C
FDP2D9N12C
$0 $/Stück
STL4LN80K5
STL4LN80K5
$0 $/Stück
STP28NM50N
STP28NM50N
$0 $/Stück
STB15N80K5
STB15N80K5
$0 $/Stück

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