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NTD6416ANT4G

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

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NTD6416ANT4G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.38962 -
5,000 $0.37014 -
12,500 $0.35622 -
25,000 $0.35420 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 81mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 620 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

STW50N65DM6
DMP4050SSS-13
STW34NM60N
STW34NM60N
$0 $/Stück
SIHP180N60E-GE3
IRFR210TRLPBF
G3R20MT17K
IXTY1R4N120P
IXTY1R4N120P
$0 $/Stück

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