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NTH4L045N065SC1

NTH4L045N065SC1

NTH4L045N065SC1

onsemi

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

compliant

NTH4L045N065SC1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $16.52000 $16.52
500 $16.3548 $8177.4
1000 $16.1896 $16189.6
1500 $16.0244 $24036.6
2000 $15.8592 $31718.4
2500 $15.694 $39235
192 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V, 18V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (max) @ ID 4.3V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 18 V
vgs (max) +22V, -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1870 pF @ 325 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 187W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-4L
Paket / Koffer TO-247-4
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Zugehörige Teilenummer

DMP1011LFV-13
SQD90P04_9M4LT4GE3
IXTQ69N30PM
IXTQ69N30PM
$0 $/Stück
NVMFWS027N10MCLT1G
NVMFWS027N10MCLT1G
$0 $/Stück
NTMFS4C800NT1G
NTMFS4C800NT1G
$0 $/Stück
NTTFS5CS73NLTAG
NTTFS5CS73NLTAG
$0 $/Stück
5HN02M-TL-E
5HN02M-TL-E
$0 $/Stück
DMG7408SFG-7
IRFD313
IRFD313
$0 $/Stück

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