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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 25 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 1A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.7V, 4.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 350mOhm @ 600mA, 4.5V |
vgs(th) (max) @ ID | 1.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 1.5 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | ±8V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 60 pF @ 10 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 630mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paket / Koffer | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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