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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 5.5A, 6.3A |
| rds ein (max) @ id, vgs | 17.4mOhm @ 9A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 12nC @ 10V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 605pF @ 15V |
| Leistung - max. | 800mW, 810mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | 8-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-WDFN (3x3) |
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