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NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

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onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

NTMD6P02R2G Technisches Datenblatt

compliant

NTMD6P02R2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.38608 -
5,000 $0.36677 -
12,500 $0.35299 -
25,000 $0.35098 -
2498 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.8A
rds ein (max) @ id, vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700pF @ 16V
Leistung - max. 750mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

DMN2005DLP4K-7
APTM100H45SCTG
SQJQ910EL-T1_GE3
DMP2200UDW-7
SI7956DP-T1-E3
FDW2511NZ
APTM120H29FG
CPH6339-TL-E
CPH6339-TL-E
$0 $/Stück

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