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NTMFD0D9N02P1E

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onsemi

IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

nicht konform

NTMFD0D9N02P1E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
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2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V, 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Ta), 30A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Leistung - max. 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
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Zugehörige Teilenummer

FDG6304P-X
FDG6304P-X
$0 $/Stück
JANTXV2N7334
VHM40-06P1
VHM40-06P1
$0 $/Stück
JANTXV2N7335
IRF630BTSTU
FF2MR12KM1HP
MCH6605-TL-EX
MCH6605-TL-EX
$0 $/Stück

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