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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 9.3A (Ta), 53A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 5.5mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.2V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 28.5 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1954 pF @ 15 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 920mW (Ta), 30W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paket / Koffer | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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