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FDMS7672

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 19A/28A 8PQFN

SOT-23

FDMS7672 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDMS7672 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.39532 -
6,000 $0.37555 -
15,000 $0.36143 -
1780 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Ta), 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2960 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

RSQ045N03HZGTR
NTB5D0N15MC
NTB5D0N15MC
$0 $/Stück
SQJ848EP-T1_GE3
IXFT42N50P2
IXFT42N50P2
$0 $/Stück
PSMN4R5-30YLC,115

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