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NTB5D0N15MC

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onsemi

MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE

SOT-23

NTB5D0N15MC Technisches Datenblatt

nicht konform

NTB5D0N15MC Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.88000 $5.88
500 $5.8212 $2910.6
1000 $5.7624 $5762.4
1500 $5.7036 $8555.4
2000 $5.6448 $11289.6
2500 $5.586 $13965
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta), 139A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 97A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 532µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6300 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK-3 (TO-263-3)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SQJ848EP-T1_GE3
IXFT42N50P2
IXFT42N50P2
$0 $/Stück
PSMN4R5-30YLC,115
SIHU6N65E-GE3
NTB18N06T4
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$0 $/Stück
SIHG80N60EF-GE3
G65P06T
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$0 $/Stück

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