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IXFT42N50P2

IXFT42N50P2

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 42A TO268

SOT-23

IXFT42N50P2 Technisches Datenblatt

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IXFT42N50P2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $6.19100 $185.73
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 830W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

PSMN4R5-30YLC,115
SIHU6N65E-GE3
NTB18N06T4
NTB18N06T4
$0 $/Stück
SIHG80N60EF-GE3
G65P06T
G65P06T
$0 $/Stück
IRFP4110PBF
STW42N65M5
STW42N65M5
$0 $/Stück

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