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SIHG80N60EF-GE3

SIHG80N60EF-GE3

SIHG80N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC

SOT-23

nicht konform

SIHG80N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $17.86000 $17.86
10 $16.30000 $163
100 $13.96140 $1396.14
500 $12.01246 $6006.23
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 400 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6600 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

G65P06T
G65P06T
$0 $/Stück
IRFP4110PBF
STW42N65M5
STW42N65M5
$0 $/Stück
SI3415A-TP
IRFH5300TRPBF
SIHA12N50E-GE3
SPS01N60C3
APT75M50B2
VN0550N3-G
RM20P30D3
RM20P30D3
$0 $/Stück

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