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SIHA12N50E-GE3

SIHA12N50E-GE3

SIHA12N50E-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 500V

nicht konform

SIHA12N50E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.96000 $1.96
500 $1.9404 $970.2
1000 $1.9208 $1920.8
1500 $1.9012 $2851.8
2000 $1.8816 $3763.2
2500 $1.862 $4655
995 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 886 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 32W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SPS01N60C3
APT75M50B2
VN0550N3-G
RM20P30D3
RM20P30D3
$0 $/Stück
IXTH64N10L2
IXTH64N10L2
$0 $/Stück
MSC040SMA120B4
FKI07117
FKI07117
$0 $/Stück
NVH4L040N120SC1
NVH4L040N120SC1
$0 $/Stück
SQM50N04-4M0L_GE3

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