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IXTH64N10L2

IXTH64N10L2

IXTH64N10L2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 64A TO247

SOT-23

IXTH64N10L2 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTH64N10L2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.58000 $167.4
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 64A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3620 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 357W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

MSC040SMA120B4
FKI07117
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$0 $/Stück
NVH4L040N120SC1
NVH4L040N120SC1
$0 $/Stück
SQM50N04-4M0L_GE3
SI4686DY-T1-E3
NVH4L020N120SC1
NVH4L020N120SC1
$0 $/Stück
IXTA1N170DHV
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$0 $/Stück
IRFR014TRPBF
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$0 $/Stück

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