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SI4686DY-T1-E3

SI4686DY-T1-E3

SI4686DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO

SOT-23

nicht konform

SI4686DY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.54481 -
5,000 $0.51923 -
12,500 $0.50096 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1220 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 5.2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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