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SPS01N60C3

SPS01N60C3

SPS01N60C3

MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

SOT-23

SPS01N60C3 Technisches Datenblatt

nicht konform

SPS01N60C3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
43500 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 800mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 11W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO251-3-11
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

APT75M50B2
VN0550N3-G
RM20P30D3
RM20P30D3
$0 $/Stück
IXTH64N10L2
IXTH64N10L2
$0 $/Stück
MSC040SMA120B4
FKI07117
FKI07117
$0 $/Stück
NVH4L040N120SC1
NVH4L040N120SC1
$0 $/Stück
SQM50N04-4M0L_GE3
SI4686DY-T1-E3

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