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PJQ4476AP_R2_00001

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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

nicht konform

PJQ4476AP_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.93000 $0.93
500 $0.9207 $460.35
1000 $0.9114 $911.4
1500 $0.9021 $1353.15
2000 $0.8928 $1785.6
2500 $0.8835 $2208.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1519 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 62W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIHU6N65E-GE3
NTB18N06T4
NTB18N06T4
$0 $/Stück
SIHG80N60EF-GE3
G65P06T
G65P06T
$0 $/Stück
IRFP4110PBF
STW42N65M5
STW42N65M5
$0 $/Stück
SI3415A-TP
IRFH5300TRPBF
SIHA12N50E-GE3
SPS01N60C3

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