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SQJ848EP-T1_GE3

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SQJ848EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

SOT-23

nicht konform

SQJ848EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.79704 -
6,000 $0.75962 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 47A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXFT42N50P2
IXFT42N50P2
$0 $/Stück
PSMN4R5-30YLC,115
SIHU6N65E-GE3
NTB18N06T4
NTB18N06T4
$0 $/Stück
SIHG80N60EF-GE3
G65P06T
G65P06T
$0 $/Stück
IRFP4110PBF

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