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NTMFS4C027NT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN

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NTMFS4C027NT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.30096 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16.4A (Ta), 52A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1670 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

IXFH140N20X3
IXFH140N20X3
$0 $/Stück
DMN1004UFV-7
FDA33N25
FDA33N25
$0 $/Stück
RAQ045P01TCR
RFD12N06RLESM9A
RFD12N06RLESM9A
$0 $/Stück
SFR9014TF

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