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RAQ045P01TCR

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MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

nicht konform

RAQ045P01TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.43000 $0.43
500 $0.4257 $212.85
1000 $0.4214 $421.4
1500 $0.4171 $625.65
2000 $0.4128 $825.6
2500 $0.4085 $1021.25
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 4.5 V
vgs (max) -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4200 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TSMT6 (SC-95)
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

RFD12N06RLESM9A
RFD12N06RLESM9A
$0 $/Stück
SFR9014TF
IXTH20N65X2
IXTH20N65X2
$0 $/Stück
SIHA11N80E-GE3
TN0604N3-G
APT20M11JVR
FDFMA2P029Z
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$0 $/Stück

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