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NTMFS4H013NFT3G

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onsemi

MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN

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NTMFS4H013NFT3G Preise und Bestellung

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5,000 $1.21600 -
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 43A (Ta), 269A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3923 pF @ 12 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

SIHP22N60E-GE3
DMN30H14DLY-13
FDU8896
NVTFS5124PLTAG
NVTFS5124PLTAG
$0 $/Stück
IXTQ14N60P
IXTQ14N60P
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NTE492
NTE492
$0 $/Stück
DMN33D8LTQ-13

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