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Name | Wert |
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Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 223mA (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 1.5V, 4.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V |
vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 1.1 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | ±8V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 41 pF @ 15 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 121mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 3-XLLGA (0.62x0.62) |
Paket / Koffer | 3-XFLGA |
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