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SI4425FDY-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC

nicht konform

SI4425FDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.75000 $0.75
500 $0.7425 $371.25
1000 $0.735 $735
1500 $0.7275 $1091.25
2000 $0.72 $1440
2500 $0.7125 $1781.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1620 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

NTMTS0D6N04CLTXG
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$0 $/Stück
PMV65UN,215
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$0 $/Stück
APT51M50J
STP16N65M2
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$0 $/Stück
BSS84LT1G
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$0 $/Stück
IXTQ120N20P
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$0 $/Stück
STP13NK60Z
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$0 $/Stück
RM120N30T2
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NVTFS6H888NTAG
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