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PJQ4441P_R2_00001

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PJQ4441P_R2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4441P_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.71000 $0.71
500 $0.7029 $351.45
1000 $0.6958 $695.8
1500 $0.6887 $1033.05
2000 $0.6816 $1363.2
2500 $0.6745 $1686.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2030 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

STP13NK60Z
STP13NK60Z
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RM120N30T2
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$0 $/Stück
NVTFS6H888NTAG
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$0 $/Stück
NDD60N900U1-35G
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$0 $/Stück
IRFI9620GPBF
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BSS192,115
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SQJA02EP-T1_GE3
FCPF7N60
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DMS3016SSS-13

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