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NTR4101PT1G

NTR4101PT1G

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3

NTR4101PT1G Technisches Datenblatt

compliant

NTR4101PT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.09618 -
6,000 $0.08694 -
15,000 $0.07770 -
30,000 $0.07308 -
75,000 $0.06523 -
150,000 $0.06292 -
12000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 675 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 420mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

RS1E240BNTB
NTMFS0D55N03CGT1G
NTMFS0D55N03CGT1G
$0 $/Stück
SCT4036KEC11
STD2HNK60Z-1
FDMS86163P
FDMS86163P
$0 $/Stück
BUK7E1R9-40E,127
FQB9P25TM
FQB9P25TM
$0 $/Stück

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