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NVD5413NT4G

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

NVD5413NT4G Technisches Datenblatt

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NVD5413NT4G Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 26mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1725 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

BSC027N03S G
IRL3803S
IRFU220BTU-AM002
IRFU220BTU-AM002
$0 $/Stück
IRLR4343TRR
NTB75N03-06T4
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$0 $/Stück
FDMS86568-F085
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NTDV6414ANT4G
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