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NVMD4N03R2G

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NVMD4N03R2G

onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL

NVMD4N03R2G Technisches Datenblatt

compliant

NVMD4N03R2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.60260 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 400pF @ 20V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

DMN2016UTS-13
APTM50H14FT3G
DMN2008LFU-13
QS8J11TCR
QS8J11TCR
$0 $/Stück
SQJB48EP-T1_GE3
TC6320K6-G
ECH8653-S-TL-H
ECH8653-S-TL-H
$0 $/Stück
PMGD280UN,115

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