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NVMD6P02R2G

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onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

NVMD6P02R2G Technisches Datenblatt

nicht konform

NVMD6P02R2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.69793 -
9368 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.8A
rds ein (max) @ id, vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700pF @ 16V
Leistung - max. 750mW
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

DMN3022LFG-7
DMP3056LSDQ-13
CSD87503Q3ET
ECH8667-TL-HX
ECH8667-TL-HX
$0 $/Stück
SI5513CDC-T1-GE3
SIZ260DT-T1-GE3
SQJ560EP-T1_GE3

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