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NVMFS4C01NWFT3G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

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NVMFS4C01NWFT3G Preise und Bestellung

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5,000 $1.06864 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 49A (Ta), 319A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 139 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10144 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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