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NVMFS5830NLWFT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN

compliant

NVMFS5830NLWFT1G Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 113 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5880 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

DMP210DUFB4-7B
FCH099N65S3_F155
FCH099N65S3_F155
$0 $/Stück
BUK9E1R8-40E,127
BUK9E1R8-40E,127
$0 $/Stück
IRFS33N15D
IXTR90P10P
IXTR90P10P
$0 $/Stück
PMN38EN,165
PMN38EN,165
$0 $/Stück
IRF5805
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$0 $/Stück
SI1426DH-T1-GE3

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