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NVMFS5833NT3G

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MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1714 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

ATP213-TL-H
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STP24NM65N
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SUP50N03-5M1P-GE3
STE26NA90
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HUFA75345S3S
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IRF3717
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SI4390DY-T1-GE3
IRL640S
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BUK96150-55A,118
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