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NVMFS5C430NAFT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN

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NVMFS5C430NAFT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.76560 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Ta), 185A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

IXTP20N65X
IXTP20N65X
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IXFY4N85X
IXFY4N85X
$0 $/Stück
DMN100-7-F
SI7850ADP-T1-GE3
IRFU1205PBF
NVMJS0D8N04CLTWG
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$0 $/Stück
QS5U26TR
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$0 $/Stück
IRL640PBF-BE3

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