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TSM080N03EPQ56 RLG

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MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN

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TSM080N03EPQ56 RLG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.20444 -
5,000 $0.19126 -
12,500 $0.18466 -
4505 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 750 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 54W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMN100-7-F
SI7850ADP-T1-GE3
IRFU1205PBF
NVMJS0D8N04CLTWG
NVMJS0D8N04CLTWG
$0 $/Stück
QS5U26TR
QS5U26TR
$0 $/Stück
IRL640PBF-BE3
SIHFBE30S-GE3
IRLS640A
IRLS640A
$0 $/Stück
IRFSL7537PBF

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