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NVMFS5C612NLAFT1G

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MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN

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NVMFS5C612NLAFT1G Preise und Bestellung

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1,500 $1.31428 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 38A (Ta), 250A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.36mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 91 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6660 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

R6004JNXC7G
DMP2160U-7
NTMFS5832NLT1G
NTMFS5832NLT1G
$0 $/Stück
BUK654R6-55C,127
BUK654R6-55C,127
$0 $/Stück
IXTT140N10P
IXTT140N10P
$0 $/Stück
IXTQ96N15P
IXTQ96N15P
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ZXM61N02FTA
IXFB170N30P
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