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NVMFS6B03NWFT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 5DFN

compliant

NVMFS6B03NWFT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 145A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4200 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.9W (Ta), 198W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

IRFP470
IRFP470
$0 $/Stück
APT6017B2LLG
ZXMN10A25K
SN7002W E6433
FDP075N15A
FDP075N15A
$0 $/Stück
BUK9614-60E,118
IRFL9110PBF
IRFL9110PBF
$0 $/Stück
SI4462DY-T1-E3
IRF620STRR
IRF620STRR
$0 $/Stück

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