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NVMFS6D1N08HT1G

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onsemi

T8 80V

nicht konform

NVMFS6D1N08HT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.70933 -
3,000 $0.66205 -
7,500 $0.62894 -
10,500 $0.60530 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Ta), 89A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 125µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 6 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2085 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

SQ2362ES-T1_GE3
SPP02N60C3
NVTFS4C25NWFTAG
NVTFS4C25NWFTAG
$0 $/Stück
SPI12N50C3IN
STB75NF20
STB75NF20
$0 $/Stück
SIHG21N65EF-GE3
BUK9Y14-40B,115
SCT3060ALGC11
NTMFS4708NT3G
NTMFS4708NT3G
$0 $/Stück

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