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NVMSD6N303R2G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

compliant

NVMSD6N303R2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
24568 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 950 pF @ 24 V
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

IRF740PBF-BE3
BUK7Y07-30B,115
SIHG21N80AE-GE3
IRF6648TRPBF
RM052N100DF
RM052N100DF
$0 $/Stück
MCG20P03-TP

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