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SIHG21N80AE-GE3

SIHG21N80AE-GE3

SIHG21N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC

compliant

SIHG21N80AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.01000 $5.01
500 $4.9599 $2479.95
1000 $4.9098 $4909.8
1500 $4.8597 $7289.55
2000 $4.8096 $9619.2
2500 $4.7595 $11898.75
525 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 235mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1388 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 32W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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