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NVTFS4C06NTAG

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MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN

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1,500 $0.38579 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1683 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

RM30P55LD
RM30P55LD
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SI4413ADY-T1-GE3
MCG65N03-TP
IXTA10P50P-TRL
IXTA10P50P-TRL
$0 $/Stück
SCT3120ALGC11
STL12N60M2
STL12N60M2
$0 $/Stück
NTD23N03R-001
NTD23N03R-001
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FDBL9406-F085
FDBL9406-F085
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