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STL12N60M2

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MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT

STL12N60M2 Technisches Datenblatt

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STL12N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.92125 -
6,000 $0.89100 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 495mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 538 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) HV
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

NTD23N03R-001
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FDBL9406-F085
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$0 $/Stück
NVMFS6H836NWFT3G
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$0 $/Stück
NTMFS5H425NLT1G
NTMFS5H425NLT1G
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R6507ENXC7G
IXTP230N04T4M
IXTP230N04T4M
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