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NVTFS6H860NLWFTAG

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN

nicht konform

NVTFS6H860NLWFTAG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.53625 $0.53625
500 $0.5308875 $265.44375
1000 $0.525525 $525.525
1500 $0.5201625 $780.24375
2000 $0.5148 $1029.6
2500 $0.5094375 $1273.59375
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 30µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 610 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRFD220PBF
IRFD220PBF
$0 $/Stück
SIHF5N50D-E3
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$0 $/Stück
SIHH27N60EF-T1-GE3
SIHP15N80AEF-GE3
AUIRF540ZS
NTHD3101FT1G
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$0 $/Stück
FDD6N50TM
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$0 $/Stück
SISS22DN-T1-GE3
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