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RFD14N05LSM

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onsemi

MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA

RFD14N05LSM Technisches Datenblatt

nicht konform

RFD14N05LSM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.96000 $0.96
10 $0.84100 $8.41
100 $0.64890 $64.89
500 $0.48070 $240.35
1,000 $0.38456 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 50 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 14A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 670 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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