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PJC138L_R1_00001

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJC138L_R1_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
2960 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 15 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

SI4396DY-T1-GE3
IRFP440PBF
IRFP440PBF
$0 $/Stück
FCP600N60Z
FCP600N60Z
$0 $/Stück
FDB150N10
FDB150N10
$0 $/Stück
STP4N52K3
STP4N52K3
$0 $/Stück
NVMFS6H800NLWFT1G
NVMFS6H800NLWFT1G
$0 $/Stück
SQJ126EP-T1_GE3

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